[6a-S21-1~9] 13.10 化合物太陽電池

[6a-S21-6] Se照射プロセスを導入したCu(In,Ga)Se₂太陽電池のカソードルミネッセンス法を用いた欠陥特性評価

〇(DC)西村 昂人^1,2、陳 顥文^3,4、杉浦 大樹⁴、中田 和吉⁴、山田 明⁴ (1.東工大院理工、2.学振特別研究員、3.台湾科技大工学院、4.東工大工学院)

キーワード：CIGS、カソードルミネッセンス、欠陥

これまで本研究グループでは、Cu(In,Ga)Se₂太陽電池の界面品質改善に向けた、CIGS最表面への低Cu組成の異相（Cu欠損層）を導入する為の新たなアプローチとして、CIGS薄膜の作製に用いられる三段階法を改良し、「Se照射時間」を設けることを提案した。今回、カソードルミネッセンス(CL)法により、CIGSへのSe照射時間導入に伴う欠陥特性に関する新たな知見を得たので報告する。