[6a-S41-1~11] 【CS.9】7.1 X線技術と7.4 量子ビーム界面構造計測のコードシェアセッション

[6a-S41-1] Si基板上のBi_4-xLa_xTi₃O₁₂強誘電体薄膜の結晶構造とヒステリシス特性

〇香野 淳¹、田尻 恭之¹ (1.福岡大理)

キーワード：Bi層状構造強誘電体薄膜、結晶構造、ヒステリシス特性

Si(100)基板上に直接堆積、結晶化したBi_4-xLa_xTi₃O₁₂ (BLT) 薄膜はa-, b-軸優先配向を示し、その配向性は膜厚が薄いほど顕著になることが分かった。また、Ｘ線回折の結果から、格子歪みが生じていることが示唆された。膜厚18nmのBLT薄膜を用いたAu/BLT/p-Siキャパシタ構造の静電容量-電圧特性にBLTの強誘電性によるヒステリシス特性が観測された。結晶配向、格子歪み、界面層厚さ等の構造、およびそれらがヒステリシス特性に及ぼす影響について議論する。