[6p-A201-1~20] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[6p-A201-14] n型4H-SiC溶液成長における表面平坦性と多形安定性に対する添加剤の効果

〇(PC)小松 直佳¹、三谷 武志¹、林 雄一郎¹、加藤 智久¹、奥村 元¹ (1.産総研)

キーワード：SiC、溶液法、表面

n型4H-SiC溶液成長では表面平坦性を向上させつつも、電気伝導度を低下させることのない添加剤が望まれる。そこで、本研究ではSi_0.6Cr_0.4溶媒への種々添加剤、特に遷移金属の添加に対し、成長結晶表面の平均マクロステップ高さの変化と多形安定性、キャリア濃度について調査した。