[6p-A201-1~20] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [6p-A201-16] 4H-SiCエピ層における積層欠陥近傍の単一光子源の発光特性

〇赤堀 周平¹、古川 頼誉²、松下 雄一郎²、大島 武³、土方 泰斗¹ (1.埼玉大院理工、2.東京大院工、3.量研)

キーワード：炭化ケイ素、単一光子源