[6p-A201-1~20] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[6p-A201-8] X線その場観察によりメニスカス高さ制御したSiC溶液成長

〇酒井 武信¹、秋田 光俊²、加度 幹尚²、大黒 寛典²、原田 俊太³、宇治原 徹³ (1.名大未来社会創造機構、2.トヨタ自動車㈱、3.名大未来材料ｼｽﾃﾑ研)

キーワード：パワー半導体、その場観察

SiC溶液成長技術において、開発したX線その場観察装置によりメニスカス高さを３通りに変化させて、結晶成長への影響と良品条件の範囲を検討した。その結果メニスカスを２mmに保つことが、多形維持に効果があることを証明した。