[6p-A203-1~19] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

△ [6p-A203-8] Improved Efficiency of Light-Emitting Diodes Using InP/ZnSe/ZnS Quantum Dots and Mg-Doped Zinc Oxide Electron Transport Layer

〇Hironao Sasaki¹, Takeshi Fukuda¹, Norihiko Kamata¹, Zentaro Honda¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:quantum dot, InP, LED

量子ドットを用いた発光素子において、電子輸送層の移動度が正孔輸送層の移動度より大きいことが課題となっている。そこで本研究では、Mg-doped ZnO電子輸送層とマルチシェルのInP量子ドットを用いて発光素子を作製した。
マルチシェルのInP量子ドットは、厚いシェルを形成することでオージェ再結合を防ぐ。またMg-doped ZnO電子輸送層は、ZnO電子輸送層よりも移動度が小さいため発光層中のキャリアバランスを改善し、電流効率の向上に成功した。