[6p-A203-1~19] 12.4 有機EL・トランジスタ

△ [6p-A203-8] InP/ZnSe/ZnS量子ドットとMgドープ酸化亜鉛電子輸送層を用いた発光ダイオードの高効率化

〇佐々木 宏尚¹、福田 武司¹、鎌田 憲彦¹、本多 善太郎¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：量子ドット、InP、発光ダイオード

量子ドットを用いた発光素子において、電子輸送層の移動度が正孔輸送層の移動度より大きいことが課題となっている。そこで本研究では、Mg-doped ZnO電子輸送層とマルチシェルのInP量子ドットを用いて発光素子を作製した。
マルチシェルのInP量子ドットは、厚いシェルを形成することでオージェ再結合を防ぐ。またMg-doped ZnO電子輸送層は、ZnO電子輸送層よりも移動度が小さいため発光層中のキャリアバランスを改善し、電流効率の向上に成功した。