[6p-A204-1~23] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [6p-A204-11] ヘテロ接合型Si系太陽電池の新規正孔選択輸送層p型CuIの熱安定性

〇(M1)崔 敏¹、後藤 和泰¹、高橋 勲¹、黒川 康良¹、宇佐美 徳隆¹ (1.名大院工)

キーワード：正孔選択輸送層、ヨウ化銅、ヘテロ接合

Si系太陽電池の新規ヘテロ接合型正孔選択輸送層として期待されているヨウ化銅（CuI）の熱安定性を調査した．CuI薄膜は真空蒸着したCuをヨウ素雰囲気中でヨウ化させる2段階作製法で製膜した．CuIは大気中90 ºCより高温で熱分解するが，CuI上にITO膜を作製することで，CuIの熱分解を抑制できることが分かった．更に，CuI上に作製したITOを大気中180 ºCで結晶化することで抵抗率を低下させ，太陽電池のJ-V特性を向上させた．