2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

16 非晶質・微結晶 » 16.3 シリコン系太陽電池

[6p-A204-1~23] 16.3 シリコン系太陽電池

2017年9月6日(水) 13:00 〜 19:30 A204 (204)

高濱 豪(パナソニック)、齋 均(産総研)、宮島 晋介(東工大)

17:30 〜 17:45

[6p-A204-16] 非質量分離型イオン注入を用いたn-PERT太陽電池の開発

山口 昇1、廣庭 大輔1、鈴木 英男1、村松 和郎2、中村 京太郎3 (1.アルバック半電研、2.ナミックス、3.明治大学)

キーワード:イオン注入、n-PERT

n-PERT(Passivated Emitter, Rear Totally- diffused)太陽電池のp+、n+層の形成において、イオン注入法が量産工程に導入され、製造コストを下げる観点からは非質量分離型のイオン注入装置が注目されている。当初の実験ではエミッタ層をBF3のイオン注入によって形成すると、従来方式のAPCVD (Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition)を用いた手法と比較して変換効率が劣っていた。本研究では非質量分離型でのBF3注入の課題を解決し、APCVD方式と同等以上の太陽電池特性が得られたので、その成果について報告する。