[6p-A204-1~23] 16.3 シリコン系太陽電池

[6p-A204-8] a-Si:H/c-Siヘテロ界面近傍ボイド構造の高速評価
－ボイドサイズ・水素結合・Si結合角ゆらぎの相互相関－

〇松木 伸行¹、オローク ブライアン²、大島 永康²、上殿 明良³ (1.神奈川大、2.産総研、3.筑波大)

キーワード：水素化アモルファス／結晶シリコンヘテロ接合太陽電池、陽電子消滅、ボイド

我々は，これまでの研究で水素化アモルファスシリコン（a-Si:H）の光学定数と，陽電子消滅法によって決定されたa-Si:H中ボイドサイズとの間に相関関係があることを見出し，分光エリプソメータを用いてボイドサイズを簡便に求める手法を開発した．この手法に基づき，膜中水素結合など他の物性とボイドサイズとの相関関係を調べ，a-Si:H/結晶Siヘテロ接合太陽電池特性向上のキーパラメータ解明を目指した．