[6p-A301-8~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

[6p-A301-11] NaフラックスGaN単結晶内の孤立転位に起因した局所漏れ電流特性評価

〇(M1)濱地 威明¹、竹内 正太郎¹、今西 正幸²、今出 完²、森 勇介²、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工、2.阪大院工)

キーワード：漏れ電流特性評価