2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[6p-A301-8~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年9月6日(水) 16:45 〜 18:30 A301 (メインホール)

寒川 義裕(九大)

17:00 〜 17:15

[6p-A301-9] AlGaN/GaNヘテロ界面における転位観察と歪解析

二木 佐知1、前川 順子1、青木 正彦1、山本 雄大2、横川 俊哉2 (1.イオンテクノ、2.山口大工)

キーワード:半導体、窒化物、透過電子顕微鏡

AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタは、高耐圧、大電流動作が期待できる。その横型デバイスにおいて、転位はデバイス特性に影響する。先回、我々はAlGaN層について特徴的な積層欠陥の構造を報告した。今回、サファイア基板及びGaN基板上のAlGaN/GaN界面に着目し、HRTEM像のFFT解析および歪みのマッピングによりサンプル間比較を行ったので報告する。