[6p-A301-8~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

[6p-A301-9] AlGaN/GaNヘテロ界面における転位観察と歪解析

〇二木 佐知¹、前川 順子¹、青木 正彦¹、山本 雄大²、横川 俊哉² (1.イオンテクノ、2.山口大工)

キーワード：半導体、窒化物、透過電子顕微鏡

AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタは、高耐圧、大電流動作が期待できる。その横型デバイスにおいて、転位はデバイス特性に影響する。先回、我々はAlGaN層について特徴的な積層欠陥の構造を報告した。今回、サファイア基板及びGaN基板上のAlGaN/GaN界面に着目し、HRTEM像のFFT解析および歪みのマッピングによりサンプル間比較を行ったので報告する。