[6p-A405-1~22] 【CS.4】3.11 & 13.7 Code-sharing session

△ [6p-A405-12] Fabrication and Characterization of a Photonic Crystal Nanocavity with InAs Quantum Dots Embedded by MBE Regrowth

〇QUOCHUY VO¹, Yasutomo Ota², Katsuyuki Watanabe², Takeo Kageyama², Satoshi Iwamoto^1,2, Yasuhiko Arakawa^1,2 (1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.NanoQuine, Univ. of Tokyo)

Keywords:MBE, regrowth, GaAs, photonic crystal, InAs quantum dot

高Q値・極小モード体積を有する２次元フォトニック結晶（PhC）ナノ共振器とキャリア閉じ込め・熱散逸効果が得られる埋め込みヘテロ構造を組み合わせたナノレーザは、電子集積回路で求められる小型低消費電力の半導体レーザとして期待されている。本報告では、MBE結晶再成長技術を用いて、InAs/GaAs 量子ドットからなる活性層領域を共振器部分制限し埋め込んだPhCナノ共振器の作製し、１万を超えるQ値を有する共振器モードを観測することに成功した。