[6p-A405-1~22] 【CS.4】3.11 フォトニック構造・現象,13.7 ナノ構造・量子現象のコードシェアセッション

△ [6p-A405-12] MBE再成長によりInAs量子ドットを埋め込んだフォトニック結晶ナノ共振器の作製と評価

〇VO QUOC HUY¹、太田 泰友²、渡邉 克之²、影山 健生²、岩本 敏^1,2、荒川 泰彦^1,2 (1.東大生研、2.東大ナノ量子機構)

キーワード：分子線エピタキシー、再成長、GaAs、フォトニック結晶、InAs量子ドット

高Q値・極小モード体積を有する２次元フォトニック結晶（PhC）ナノ共振器とキャリア閉じ込め・熱散逸効果が得られる埋め込みヘテロ構造を組み合わせたナノレーザは、電子集積回路で求められる小型低消費電力の半導体レーザとして期待されている。本報告では、MBE結晶再成長技術を用いて、InAs/GaAs 量子ドットからなる活性層領域を共振器部分制限し埋め込んだPhCナノ共振器の作製し、１万を超えるQ値を有する共振器モードを観測することに成功した。