[6p-A411-1~9] ハイブリッド量子系における電磁界制御

[6p-A411-2] グラフェンの格子ひずみによる擬似磁場効果

〇神田 晶申¹、友利 ひかり^1,2 (1.筑波大、2.JSTさきがけ)

キーワード：グラフェン、ひずみ、バンドギャップ

グラフェンに格子ひずみがあると、グラフェン中の電子はベクトルポテンシャルを感じる。また、ひずみの空間変化があると、グラフェン中の電子は「擬似磁場」を受けて運動する。本講演では、擬似磁場の空間分布をコントロールすることで、グラフェン電界効果トランジスタに伝導ギャップ（バンドギャップ）を生成する実験について説明する。