[6p-A412-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

[6p-A412-7] [講演奨励賞受賞記念講演] 縦型2DHGダイヤモンドMOSFETsの動作解析と絶縁破壊電圧の向上

〇大井 信敬¹、工藤 拓也¹、牟田 翼¹、大久保 智¹、露崎 活人¹、蔭浦 泰資¹、稲葉 優文^1,2、小野田 忍³、平岩 篤¹、川原田 洋^1,4 (1.早大理工、2.名大未来研、3.量研機構、4.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、MOSFET、半導体

我々は縦型2DHGダイヤモンドMOSFETsの作製および動作解析を行った。すでに報告されている横型2DHGダイヤモンドMOSFETsに匹敵する電流密度およびon/off比が得られた。作製した縦型デバイスに対しシミュレーションによる動作解析を行った。また、窒素ドープ層の条件を変えることによって絶縁破壊電圧の向上を図った。