窒素ドープn層/低抵抗p<sup>+</sup>-ダイヤモンド(100)CVD自立基板を用いたショットキーpnダイオード

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[6p-A412-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

2017年9月6日(水) 13:15 〜 17:30 A412 (412)

小山和博(デンソー)、嘉数誠(佐賀大)、鹿田真一(関西学院大)

15:30 〜 15:45

〇(M2)吉田稜¹、山本貴大¹、長井雅嗣¹、松本翼^1,4、寺地徳之²、有屋田修³、加藤宙光⁴、山崎聡⁴、徳田規夫^1,4、猪熊孝夫¹ (1.金沢大院自然、2.物材機構、3.アリオス株式会社、4.産総研)

キーワード：ダイヤモンド、半導体