[6p-A413-1~18] 12.1 作製・構造制御

[6p-A413-10] ESD法を用いて作製した低分子/ポリマーブレンドOFETにおける相分離界面の影響

〇(M1)小幡 俊輔¹、原 和寛¹、安田 奈央¹、小野島 紀夫¹ (1.山梨大学)

キーワード：垂直方向相分離、静電スプレー堆積法、有機トランジスタ

我々は、ESD法によりTIPS pentacene/PMMAブレンド溶液を堆積した膜の自己組織的に形成された相分離界面形状のトランジスタ特性への影響を報告する。ブレンド膜の相分離界面は積層で作製した膜の界面よりもラフネスが大きく電気的特性が劣っていることがわかった。しかし、SVA処理をすることで平坦な相分離界面が自己組織的に形成されトランジスタ特性が向上した。そこで次にSVA処理を行わないで平坦な相分離界面を形成することを目指した。