[6p-A413-1~18] 12.1 作製・構造制御

△ [6p-A413-5] PFP薄膜を用いたn型OFETにおける窒素添加LaB₆界面制御層の効果

〇(DC)前田 康貴¹、廣木 瑞葉¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大工学院)

キーワード：パーフルオロペンタセン、窒素添加LaB6、界面制御層

これまで、我々はペンタセンに対する窒素添加LaB₆界面制御層の効果について報告してきた。今回、パーフルオロペンタセン(PFP)の形成に対する窒素添加LaB₆界面制御層の効果について検討した。Auトップコンタクトを有するPFP OFETにおいて、PFPを100^oCで堆積したところ、窒素添加LaB₆界面制御層により、PFPの再蒸発が抑制され、大気中におけるn型OFETの動作を実現した。