[6p-A414-1~21] 3.8 Optical measurement, instrumentation, and sensor

[6p-A414-17] Nonlinear response of silicon photodiode under over-filled irradiation

〇Minoru Tanabe¹, Kenichi Kinoshita¹ (1.AIST NMIJ)

Keywords:optical sensor, Metrological instrumentation, Silicon Photodiode

シリコンフォトダイオード(Si PD)は、精密光測定が可能な光検出器の一つである。理想的なSi PDは、広いパワーレベルや様々な入射波長に対しても応答出力が直線的であるが、Si PDの個体によっては、応答が増加する非直線性（スーパリニアリティ）を示すことがある。これまでの研究では、Si PDの受光面積より小さなレーザビーム径での照射条件（アンダーフィル照射条件）において、あるSi PDのスーパリニアリティの評価が実施されてきた。本研究では、Si PDの受光面積より大きなレーザビーム径での照射条件（オーバーフィル照射条件）における、Si PDの応答非直線性の評価技術の開発と実測を行った。