[6p-A501-1~21] 12.5 有機太陽電池

△ [6p-A501-14] コロイド量子ドット薄膜における高い正孔移動度

〇(D)劉 利明^1,2、ビスリ サトリア¹、石田 康博¹、岩佐 義宏^1,2、相田 卓三^1,2 (1.理研、2.東大)

キーワード：量子ドット、高い正孔移動度、P型

量子ドット（QD）ドーピングは、太陽電池、発光ダイオード（LED）、熱電デバイスなどの多くの用途にとって非常に重要である。 N型QD膜ではヒドラジンやハライドイオン（I^-、Br^-、Cl^-）のような配位子でキャッピングすることで作られている。一方でp型QD膜では大部分が空気酸化によって作られているが、 空気中の酸化制御は非常に難しく、実用性に乏しい。 今回、新しいチオフェン類リガンドを配位子にすることによってP型硫化鉛（PbS）QD膜制御に成功し、SiO₂ゲート電界効果トランジスタにおける0.02 cm²V^-1s^-1の最高正孔移動度を得ることができた。 この研究成果は高性能な太陽電池への応用が期待できる。