[6p-A503-1~12] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[6p-A503-11] シリコン結晶中のサーマルドナー形成から解析した酸素の拡散係数

〇鳥越 和尚¹、梅野 繁¹、小野 敏昭¹ (1.SUMCO)

キーワード：シリコン、拡散、サーマルドナー

シリコン結晶中では400～500^oC程度の熱処理でサーマルドナー（TD）が形成されることが知られている。TDは酸素のクラスターであるため、その形成は酸素の拡散に支配される。本研究では、TDの形成速度を解析することで高速拡散種としての酸素の拡散係数を導出した。その結果、450^oC未満の低温では、点欠陥に匹敵する高速拡散種が酸素の拡散に寄与していることが示唆された。