[6p-A503-1~12] 15.7 Crystal evaluation, impurities and crystal defects

[6p-A503-3] Optical Characterization of Carrier Recombination Processes in GaPN Alloy by Selecting Conduction-Band / Intermediate-Band Excitation

〇Chika Negishi¹, Dulal Haque¹, Takeshi Fukuda¹, Norihiko Kamata¹, Hiroyuki Yaguchi¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:GaPN, PL

IB励起および伝導帯励起での2波長励起フォトルミネッセンス法によるキャリア再結合準位の検出を行い、相互の比較を通してGaPN混晶のキャリア再結合準位分布を検討した。実験結果よりVB-IB-CB間における複数のキャリア再結合準位の存在が示された。これより、AGEおよびBGEエネルギー依存性、温度依存性の結果を合わせて、GaPN混晶中のIBに関わるキャリア再結合準位の分布と、各準位の分離評価が可能と考えられる。