[6p-A503-1~12] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[6p-A503-3] 伝導帯/中間バンド励起によるGaPN混晶のキャリア再結合過程の光学的評価

〇根岸 知華¹、ドゥラル ハク¹、福田 武司¹、鎌田 憲彦¹、矢口 裕之¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：GaPN、フォトルミネッセンス

IB励起および伝導帯励起での2波長励起フォトルミネッセンス法によるキャリア再結合準位の検出を行い、相互の比較を通してGaPN混晶のキャリア再結合準位分布を検討した。実験結果よりVB-IB-CB間における複数のキャリア再結合準位の存在が示された。これより、AGEおよびBGEエネルギー依存性、温度依存性の結果を合わせて、GaPN混晶中のIBに関わるキャリア再結合準位の分布と、各準位の分離評価が可能と考えられる。