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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[6p-A503-1~12] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

2017年9月6日(水) 13:45 〜 17:00 A503 (503)

大野裕(東北大)、仮屋崎弘昭(ｸﾞﾛｰﾊﾞﾙｳｪｰﾊｽﾞ･ｼﾞｬﾊﾟﾝ)、中川聰子(ｸﾞﾛｰﾊﾞﾙｳｪｰﾊｽﾞ･ｼﾞｬﾊﾟﾝ)

15:30 〜 15:45

[6p-A503-7] シリコンウェーハにおける自由キャリアのバルク・表面再結合拡散モデル： II.キャリア濃度分布

〇金田寛¹、米澤英晃²、大村一郎¹ (1.九工大院生命体工、2.九工大工)

キーワード：シリコン、バルクライフタイム、表面再結合