[6p-C13-1~15] 3.15 シリコンフォトニクス

[6p-C13-5] Ge/Siリブ導波路構造を用いた電界吸収型光変調器の検討

〇藤方 潤一¹、野口 将高¹、小野 英輝¹、高橋 重樹¹、志村 大輔¹、高橋 博之¹、八重樫 浩樹¹、中村 隆宏¹ (1.光電子融合基盤技術研究所)

キーワード：電界吸収型光変調器、Ge/Si細線導波路

SiベースのPN接合リブ導波路上に細線導波路構造からなるGe層をエピタキシャル成長してp, nドーピングすることにより，40 μm長の小型Ge/Si-電界吸収型光変調器の基本動作を検証すると共に，1Vpp駆動で25Gpbs高速動作を実証したので報告する．