[6p-C14-1~19] 3.13 半導体光デバイス

[6p-C14-12] イオン注入とアニールによる混晶化量子ドットレーザ

〇松井 信衞¹、赤石 陽太¹、伊澤 昌平¹、松本 敦²、赤羽 浩一²、松島 裕一³、石川 浩¹、宇髙 勝之¹ (1.早大理工、2.情報通信研究機構、3.早大GCS機構)

キーワード：量子ドット、組成混合、半導体レーザ

多重積層量子ドット構造(QD)の受動導波路化技術としてイオン注入を用いた組成混合(QDI)が検討されており、我々は最大190 nmのフォトルミネッセンス波長のシフトを確認した。一方で半導体レーザの広域波長制御は、情報通信やセンシングといった幅広い応用のある要素技術である。今回はQDIを用いて波長制御したレーザ(QDI-LD)を作製、評価したので報告する。