[6p-C14-1~19] 3.13 半導体光デバイス

△ [6p-C14-16] 1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおける高速電圧変調動作に向けた電気的応答特性の解析

〇吉冨 翔一¹、只野 翔太郎¹、山中 健太郎¹、西山 伸彦^1,2、荒井 滋久^1,2 (1.東工大工電電、2.東工大科技創研)

キーワード：トランジスタレーザ、電圧変調、過渡解析

光通信用光源における半導体レーザの変調速度制限を超える高速動作が期待される素子として、トランジスタレーザ（TL）が提案されている。当研究室では、1.3 μm帯 TLの室温連続発振を達成してきたが、CR律速により十分な高周波評価を行うことが出来ていない。今回、TLの等価回路モデルを提案し、過渡解析および高周波解析を行い、高速電圧変調動作に向けた検討を行った。