The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

Presentation information

Oral presentation

3 Optics and Photonics » 3.13 Semiconductor optical devices

[6p-C14-1~19] 3.13 Semiconductor optical devices

3.13と3.15のコードシェアセッションあり

Wed. Sep 6, 2017 1:45 PM - 6:45 PM C14 (office 3-1)

Masakazu Arai(Univ. of Miyazaki), Kiichi Hamamoto(Kyushu Univ.)

5:45 PM - 6:00 PM

[6p-C14-16] Analysis of Electric Response Characteristics of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers for High Speed Voltage Modulation

Shoichi Yoshitomi1, Shotaro Tadano1, Kentaro Yamanaka1, Nobuhiko Nishiyama1,2, Shigehisa Arai1,2 (1.Dept. of EEE, TIT, 2.IIR, TIT)

Keywords: transistor laser, voltage modulation, transient analysis

光通信用光源における半導体レーザの変調速度制限を超える高速動作が期待される素子として、トランジスタレーザ(TL)が提案されている。当研究室では、1.3 μm帯 TLの室温連続発振を達成してきたが、CR律速により十分な高周波評価を行うことが出来ていない。今回、TLの等価回路モデルを提案し、過渡解析および高周波解析を行い、高速電圧変調動作に向けた検討を行った。

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