[6p-C14-1~19] 3.13 Semiconductor optical devices

△ [6p-C14-16] Analysis of Electric Response Characteristics of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers for High Speed Voltage Modulation

〇Shoichi Yoshitomi¹, Shotaro Tadano¹, Kentaro Yamanaka¹, Nobuhiko Nishiyama^1,2, Shigehisa Arai^1,2 (1.Dept. of EEE, TIT, 2.IIR, TIT)

Keywords:transistor laser, voltage modulation, transient analysis

光通信用光源における半導体レーザの変調速度制限を超える高速動作が期待される素子として、トランジスタレーザ（TL）が提案されている。当研究室では、1.3 μm帯 TLの室温連続発振を達成してきたが、CR律速により十分な高周波評価を行うことが出来ていない。今回、TLの等価回路モデルを提案し、過渡解析および高周波解析を行い、高速電圧変調動作に向けた検討を行った。