[6p-C17-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[6p-C17-1] 透明アモルファス酸化物半導体Cd-Ga-Sn-O薄膜の電気特性制御

〇柳 博¹、小山石 ユウスケ¹ (1.山梨大学)

キーワード：TAOS、高移動度

アモルファス酸化物半導体（AOS）で10 cm²V^–1s^–1以上の高い移動度を得るためには10¹⁸ cm^–3程度以上と比較的高いキャリア濃度が必要である。これに対し本研究では、Cd-Ga-Sn-O系からなる透明アモルファス酸化物半導体において製膜中の水蒸気分圧を制御することによって、キャリア濃度が1.9×10¹⁷ cm^–3で移動度57 cm²V^–1s^–1、5.3×10¹⁶ cm^–3で36 cm²V^–1s^–1を実現したのでこれらの結果について報告する。