2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[6p-C17-1~15] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2017年9月6日(水) 13:45 〜 17:45 C17 (研修室2)

牧野 久雄(高知工科大)

17:00 〜 17:15

[6p-C17-13] CuとAlの反応性同時スパッタによるCuAlO2薄膜の作成

惠原 貴志1 (1.石巻専修大人間)

キーワード:デラフォサイト、反応性スパッタ、同時スパッタ

CuAlO2薄膜をCuとAlの反応性同時スパッタ法により成膜した。CuのチップをAlターゲット上のエロ―ジョン領域内に配置し、酸素プラズマでスパッタすることによりCuAlO2薄膜を形成することが可能であった。これにより、CuAlO2粉末を成型したターゲットを用いた成膜時に問題となった、ターゲット表面のプラズマによる変化を考慮しなくてよい成膜方法が確立できた。