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[6p-C17-15] LSAT基板を用いた単結晶WO3薄膜の分子線エピタキシャル成長
キーワード:三酸化タングステン、分子線エピタキシー、LSAT基板
これまで我々は,MBE法でr面サファイア基板上にWO3薄膜を成膜すると,c軸に配向したmonoclinic構造のWO3薄膜がエピタキシャル成長することを報告してきた.しかし,サファイアとWO3の面内における格子ミスマッチが4~8%と大きいため,成長の初期段階で格子緩和が生じ,格子欠陥が導入されている可能性が高い.本研究では,WO3と格子定数が比較的近接しているLSATを基板として用いたところ,高品質な薄膜が得られたので報告する.