[6p-C17-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[6p-C17-15] Molecular Beam Epitaxial Growth of Single-Crystalline WO₃ Films on LSAT Substrates

〇Hiroki Mito¹, Wataru Kuwagata¹, Kazuto Koike¹, Yoshiyuki Harada¹, Mitsuaki Yano¹, Katsuhiko Inaba², Shintaro Kobayashi² (1.Osaka Inst. of Tech., NMRC, 2.Rigaku Corp., X-Ray Res. Lab.)

Keywords:tungsten trioxide, molecular beam epitaxy, LSAT substrate

これまで我々は，MBE法でr面サファイア基板上にWO₃薄膜を成膜すると，c軸に配向したmonoclinic構造のWO₃薄膜がエピタキシャル成長することを報告してきた．しかし，サファイアとWO₃の面内における格子ミスマッチが4～8%と大きいため，成長の初期段階で格子緩和が生じ，格子欠陥が導入されている可能性が高い．本研究では，WO₃と格子定数が比較的近接しているLSATを基板として用いたところ，高品質な薄膜が得られたので報告する．