[6p-C17-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[6p-C17-15] LSAT基板を用いた単結晶WO₃薄膜の分子線エピタキシャル成長

〇美藤 大輝¹、桒形 航行¹、小池 一歩¹、原田 義之¹、矢野 満明¹、稲葉 克彦²、小林 信太郎² (1.大阪工大ナノ材研、2.リガクX線研究所)

キーワード：三酸化タングステン、分子線エピタキシー、LSAT基板

これまで我々は，MBE法でr面サファイア基板上にWO₃薄膜を成膜すると，c軸に配向したmonoclinic構造のWO₃薄膜がエピタキシャル成長することを報告してきた．しかし，サファイアとWO₃の面内における格子ミスマッチが4～8%と大きいため，成長の初期段階で格子緩和が生じ，格子欠陥が導入されている可能性が高い．本研究では，WO₃と格子定数が比較的近接しているLSATを基板として用いたところ，高品質な薄膜が得られたので報告する．