[6p-C17-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[6p-C17-2] CuIとアモルファスInGaZnO₄による透明p-n接合の作製

〇(M2)近藤 祐未¹、井野 龍一朗¹、二宮 善彦¹、山田 直臣¹ (1.中部大院工)

キーワード：p型半導体、CuI、p-n接合