[6p-C17-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[6p-C17-7] 酸素吸着によるGa添加ZnO膜の移動度向上

〇杉浦 怜¹、淺野 裕稀¹、舩木 修平¹、山田 容士¹ (1.島根大総理工)

キーワード：酸化亜鉛、アニール、半導体