[6p-C23-1~16] 6.4 Thin films and New materials

△ [6p-C23-11] Room Temperture Epitaxy and Characterization of Heavy Doped NiO:Fe Thin Films

〇Yuki Ikeya¹, Yuki Fujimoto¹, Nobuo Tsuchimine², Satoru Kaneko^3,1, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech. Materials, 2.TOSHIMA Manu., 3.KISTEC)

Keywords:Heavy Doped NiO:Fe Thin Films, Room Temperture Epitaxy

NiOは約3.6eVのバンドギャップを持つNi欠損型のp型ワイドギャップ半導体である。また、岩塩型構造を有し反強磁性を示すなど、高い配向性を有するエピタキシャル薄膜がスピントロニクスなどの応用に重要となる。本研究では、NiO基エピタキシャル薄膜における低温成長プロセスと磁性特性の発現を目的として、高濃度FeドープNiO薄膜の室温成長と物性におよぼすドーパントの影響について検討した。