[6p-C23-1~16] 6.4 薄膜新材料

△ [6p-C23-11] 高濃度Fe添加NiO薄膜の室温エピタキシャル成長と特性評価

〇池谷 侑紀¹、藤元 勇希¹、土嶺 信男²、金子 智^3,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.（株）豊島製作所、3.神奈川県産総研)

キーワード：高濃度Fe添加NiO薄膜、室温エピタキシャル成長

NiOは約3.6eVのバンドギャップを持つNi欠損型のp型ワイドギャップ半導体である。また、岩塩型構造を有し反強磁性を示すなど、高い配向性を有するエピタキシャル薄膜がスピントロニクスなどの応用に重要となる。本研究では、NiO基エピタキシャル薄膜における低温成長プロセスと磁性特性の発現を目的として、高濃度FeドープNiO薄膜の室温成長と物性におよぼすドーパントの影響について検討した。