2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[6p-C23-1~16] 6.4 薄膜新材料

2017年9月6日(水) 13:45 〜 18:15 C23 (C23)

中村 吉伸(東大)、西川 博昭(近畿大)

17:45 〜 18:00

[6p-C23-15] 遷移金属カルコゲナイド電荷移動界面

〇(M1)柏原 悠太1、中野 匡規1、王 越1、岩佐 義宏1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

キーワード:2次元物質、遷移金属カルコゲナイド、電荷移動界面

絶縁体同士を接触させた界面における電気伝導は、良く知られたInAs/GaSbへテロ構造のみならず酸化物や有機物の界面においても幅広く観測されており、ヘリカルエッジ伝導や2次元超伝導などの興味深い物理現象の舞台を提供してきた。今回、絶縁体の遷移金属カルコゲナイド(TMDC)薄膜へテロ界面において有意な電気伝導を観測したので報告する。