[6p-C23-1~16] 6.4 薄膜新材料

△ [6p-C23-3] Mn₃CuN極薄膜に対する電界効果キャリア注入

〇川崎 友暉¹、畑野 敬史¹、浦田 隆広¹、飯田 和昌¹、生田 博志¹ (1.名大工)

キーワード：マンガン窒化物、マグネトロンスパッタリング

逆ペロブスカイト型マンガン窒化物Mn₃ANはAサイトに置換する元素によって多彩な物性を示すことから、新しい機能性材料として注目されている。中でもMn₃CuNは、0.2%にも及ぶ磁歪を発現することから、アクチュエータや磁気センサへの応用が期待される。我々はこの系の単結晶薄膜の作製に成功し、その電気・磁気特性について報告した。今回、近年注目されている電気二重層トランジスタを用いて静電的キャリア注入を行い、Mn₃CuN薄膜の輸送特性の電界制御について調べたので報告する。