[6p-C23-1~16] 6.4 Thin films and New materials

[6p-C23-7] Depth profiling of hydrogen in metal hydride thin films using nuclear reaction analysis

〇Ryota Shimizu¹, Yuki Sasahara¹, Shohei Ogura², Hiroyuki Oguchi³, Shin-ichi Orimo^3,4, Katsuyuki Fukutani², Taro Hitosugi¹ (1.Tokyo Tech., 2.Univ. of Tokyo, 3.AIMR, 4.IMR)

Keywords:Metal Hydride thin film, epitaxial growth, nuclear reaction analysis

金属水素化物は高温超伝導を初めとした興味深い物性を発現することから，エレクトロニクスへの応用が期待されている．水素化物の物性はH量に大きく依存するため，薄膜内水素の定量と深さ分布解析は重要な課題である．粉体等のバルク内水素の定量手法としては，加熱分解時の重量変化や質量分析による定量が一般的であるが，重量・体積の微小な薄膜への適用は難しい．そこで本研究では，軽い元素の深さ分布解析が可能な核反応分析法(NRA)に着目した．これまでNRAを金属水素化物薄膜に適用した例は少ないため，その適用性を検討した．