[6p-C23-1~16] 6.4 Thin films and New materials

△ [6p-C23-9] Fabrication and characterization of spinel type oxynitride Fe₃O_4−xN_y epitaxial thin films

〇Satoshi Fujiwara¹, Yasushi Hirose¹, Isao Harayama², Yumi Watahiki², Daiichiro Sekiba², Tetsuya Hasegawa¹ (1.Univ. of Tokyo, 2.Univ. of Tsukuba)

Keywords:oxynitride, magnetite, magnetic semiconductor

Fe₃O₄は様々なカチオンの導入による電気・磁気的性質の変調が報告されている一方で、アニオン置換に関する報告は少ない。N³⁻置換体であるFe₃O_4−xN_yについては薄膜合成の例があるものの、詳細な物性は報告されていない。本研究ではアニオン置換の効果を調べるために窒素量を制御したFe₃O_4−xN_yエピタキシャル薄膜を合成し、物性評価を行った。その結果Fe₃O₄薄膜への窒素導入により低温での電荷秩序化が抑制され低抵抗化することが明らかになった。