[6p-C23-1~16] 6.4 薄膜新材料

△ [6p-C23-9] スピネル型酸窒化物Fe₃O_4−xN_yエピタキシャル薄膜の合成と物性評価

〇藤原 聡士¹、廣瀬 靖¹、原山 勲²、綿引 悠美²、関場 大一郎²、長谷川 哲也¹ (1.東大院理、2.UTTAC)

キーワード：酸窒化物、マグネタイト、磁性半導体

Fe₃O₄は様々なカチオンの導入による電気・磁気的性質の変調が報告されている一方で、アニオン置換に関する報告は少ない。N³⁻置換体であるFe₃O_4−xN_yについては薄膜合成の例があるものの、詳細な物性は報告されていない。本研究ではアニオン置換の効果を調べるために窒素量を制御したFe₃O_4−xN_yエピタキシャル薄膜を合成し、物性評価を行った。その結果Fe₃O₄薄膜への窒素導入により低温での電荷秩序化が抑制され低抵抗化することが明らかになった。