[6p-PA4-1~9] 3.14 Optical control devices and optical fibers

[6p-PA4-7] Analysis of Overlap Integral Changes in LN Modulator by Si Buffer Layer

〇Kohei Shimoyama¹, Yuya Yamaguchi^1,2, Atsushi Kanno², Tetsuya Kawanishi^1,2, Hirochika Nakajima¹ (1.Waseda Univ, 2.NICT)

Keywords:overlap integral, Si buffer layer, LN modulator

LN変調器は経時的にバイアス点が変化するドリフト特性が問題視されていたが，Si層を導入することで温度変化等によるドリフト現象を抑圧できることが報告されている．ここで，SiO2バッファ層上面にSi層を成膜することによって変調電極から誘起される変調電界の基板内空間分布が変化する．本研究ではSiスパッタ膜を成膜することによって生じるLN変調器のオーバーラップ係数の変化についてのシミュレーション及び測定結果を報告する．