[6p-PA4-1~9] 3.14 光制御デバイス・光ファイバー

[6p-PA4-7] Si層により生じるLN変調器のオーバーラップ係数変化についての解析

〇下山 耕平¹、山口 祐也^1,2、菅野 敦史²、川西 哲也^1,2、中島 啓幾¹ (1.早大理工、2.情報通信研究機構)

キーワード：オーバーラップ係数、Si層、LN変調器

LN変調器は経時的にバイアス点が変化するドリフト特性が問題視されていたが，Si層を導入することで温度変化等によるドリフト現象を抑圧できることが報告されている．ここで，SiO2バッファ層上面にSi層を成膜することによって変調電極から誘起される変調電界の基板内空間分布が変化する．本研究ではSiスパッタ膜を成膜することによって生じるLN変調器のオーバーラップ係数の変化についてのシミュレーション及び測定結果を報告する．