[6p-PA5-1~24] 13.10 化合物太陽電池

[6p-PA5-20] MBE法を用いたInGaP太陽電池の成長温度、成長速度の検討

〇(M2)長門 優喜^1,2、菅谷 武芳²、大島 隆治²、岡野 好伸¹ (1.東京都市大、2.産総研)

キーワード：分子線エピタキシー、III-V 族化合物半導体、太陽電池

多接合太陽電池のトップセルであるInGaP太陽電池の高性能化を目指して、分子線エピタキシー(MBE)成長における結晶成長条件が太陽電池特性に与える影響を調べた。InGaP層を480 °C、1.0 mm/hで成長した太陽電池では変換効率は12.75%であったのに対して、510 °C、1.5 mm/hで成長することによって逆方向飽和電流密度が低減し、変換効率が14.43%にに向上した。