[6p-PA7-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[6p-PA7-10] LT-AlSb成長がInSb HEMT構造の電気的特性に与える影響

〇遠藤 勇輝¹、原田 義彬¹、竹内 淳¹、岩木 拓也¹、町田 龍人¹、藤代 博記¹ (1.東理大基礎工)

キーワード：AlSb、MBE、HEMT