[6p-PA7-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[6p-PA7-16] tBGeを用いたパルスジェットエピタキシー装置によるSi(001)基板上へのGe薄膜の成長

〇秋田 裕紀¹、河野 将大¹、原口 智宏¹、山内 俊浩¹、鈴木 秀俊¹ (1.宮大工)

キーワード：tBGe、Ge on Si